? ?? ? 無錫中晶材料科技有限公司
? ? ? ? ? ?中晶納米氧化鋁拋光粉(鏡面拋光)
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我公司生產TWA 300納米的拋光粉是做金相拋光的**材料,同時還適合不銹鋼鏡面拋光,鈦金屬拋光,鑄鐵拋光,鋁材鏡面拋光,大理石石材鏡面拋光,油漆拋光,樹脂拋光,PCB電路板拋光,玻璃拋光,光學玻璃,眼鏡鏡片拋光,樹脂鏡片拋光,藍寶石拋光,LED拋光,鍺拋光,鋅拋光,拋光快,光亮度好,無劃傷。
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氧化鋁拋光粉用于藍寶石拋光比氧化硅的拋光速率快3倍左右,每小時能拋7-10um。
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概要與特點:
無錫中晶材料科技有限公司為迎合市場需求,采用獨特的生產工藝,利用國內外先進的生產設備,通過嚴謹的生產流程制作而成的納米氧化鋁拋光粉為高純度白色粉末,是玻璃、水鉆、水晶、金屬、各種石材系列精拋納米材料。該產品具有以下優越性能:
1、晶相穩定、硬度高、顆粒小且分布均勻;
2、磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好;
3、研磨效率高,拋光效果好,研磨效率遠遠高于二氧化硅等軟質磨料,表面光潔度優于白剛玉的拋光效果,切削力強、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。
規格:
項目 | 指標 | ||
型 號 | TWA 0.2 | TWA 0.3 | TWA 0.5 |
外?? 觀 | 白色粉末 | 白色粉末 | 白色粉末 |
晶 型 | a相 | α相 | α相 |
含 量﹪≥ | 99.99% | 99.99% | 99.99% |
中位粒徑 D50 | 0.2um | 0.3um | 0.5um |
用途
1、人造寶石、鋯石、玻璃、天然寶石、玉石、翡翠、瑪瑙、等振動拋光(機器拋光、滾動拋光)、手動拋光(研磨拋光)等。
2、鋁材、銅材、不銹鋼、石材、玻璃、墻地磚等研磨拋光。
3、金屬表面拋光。
4、拋光條、拋光漿、油漆表面、亞克力、不銹鋼鏡面、非鐵金屬、玉石,大理石、花岡巖、水晶、光學玻璃的表面拋光。
5、汽車油漆打磨拋光,手機外殼油漆拋光等。
用量
推薦用量為1~20%,使用者應根據不同體系經過試驗決定*佳添加量。
包裝
20公斤/每箱(內襯PE塑料袋)
注意
1.請不要浸水。
2.請不要用濕手觸摸。
3.請佩戴防塵護罩、安全眼鏡、防護手套。
4.請不要漏出,漏出時請即時清掃干凈。
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 中晶微米級氧化鋁拋光粉(精拋)
.【產品性能】
本公司生產的TWA-1、TWA-2、TWA-3、TWA-5、TWA-9、TWA-12、TWA15氧化鋁產品,采用獨特的生產工藝,利用國內外先進的生產設備,通過嚴謹的生產流程制作而成。該產品具有以下優越性能:
●晶相穩定、硬度高、顆粒小且分布均勻;
●磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好;
●研磨效率高,拋光效果好,研磨效率遠遠高于二氧化硅等軟質磨料,表面光潔度優于白剛
玉的拋光效果,切削力強、出光快
? ? ? ? ? ? ? ? ? 產品粒度分布?微米(μm) | |||||||
規格型號 | ?平均粒度(D50值) | 粒度目數(#) | 晶型 | 含量%> | 外觀 | ||
TWA1 | 1.0±0.2 | 8000# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA2 | 2.2±0.4 | 6000# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA3 | 3.1±0.4 | 4000# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA5 | 4.7±0.5 | 3000# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA9 | 6.4±0.6 | 2000# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA GF1 | 7.0±0.6 | 2200# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA12 | 8.4±o.6 | 1500# | α相 | 99.62% | 白色粉末 | ||
TWA15 | 10.5±1.5 | 800# | α相 | 99.62% | 白色粉末 |
【適用范圍及建議】?
①人造寶石、鋯石、玻璃、天然寶石、玉石、翡翠、瑪瑙、等振動拋光(機器拋光、滾動拋光)、手動拋光(研磨拋光)等。
②鋁材、銅材、不銹鋼、石材、玻璃、墻地磚等研磨拋光。
③金屬表面拋光。
④拋光條、拋光漿、油漆表面、亞克力、不銹鋼鏡面、非鐵金屬、玉石,大理石、花岡巖、水晶等!
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? ? ? ? ? ? ? ? ? 中晶微米級氧化鋁拋光粉(中拋)
半導體行業:單晶硅片、壓電石英晶體、化合物半導體的研拋
半導體領域 | ||||
【產品規格】 | ||||
產品型號? | 中值粒徑D50(μm) | 晶型 | 含量%> | 標準(國標) |
TWA 20 | 14.5±1.0 | α相 | 99.62 | #800 |
TWA 15 | 10.2±0.8 | ? ?α相 | 99.62 | #1000 |
TWA 12 | 9.20±0.6 | α相 | 99.62 | #1200 |
TWA 9 | 6.40±0.5 | α相 | 99.62 | #2000 |
TWA GF1 | 7.00±0.5 | α相 | 99.62 | #2500 |
【產品性能】 CA專用半導體研磨粉,韌性高,耐磨,不易造成劃傷、生產時未添加化學助劑。同期和日本FUJIMI FO產品進行對比,研磨效率同期提高1.5倍,表面平坦度TTV有所提高,易于清洗。
【適用范圍及建議】? 精密研磨半導體單晶硅片、化合物半導體(砷化鎵晶體,鈮酸鋰晶體等)。
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?光學玻璃、光電晶體領域
【產品規格】
產品型號? | 晶型 | 中值粒徑D50(μm) | 標準 | ? ? 國標準 |
TWA30 | α相 | 21.5±1.5 | #600 | W28 |
TWA20 | ? ? α相 | 14.5±1.3 | #800 | W20 |
TWA15 | α相 | 10.2±0.8 | #1000 | W14 |
TWA9 | α相 | 6.4±0.6 | #2000 | W10 |
TWA5 | α相 | 4.7±0.5.5 | #3000 | W5 |
TWA3 | ? ? ?a相 | 3.1±0.4 | #4000 | W3.5 |
【性能】
???????TWA系列氧化鋁研磨粉,其高韌性、高磨削效率,耐磨性好,同期和綠碳化硅磨料對比,其研磨效率高出1.5~2倍,且研磨加工后工件表面品質較高。
【適用范圍】
?????? 專門用于光學鏡片、手機玻璃鏡片、樹脂鏡片、手表玻璃和棱鏡、光學鏡頭等。
? ? ? ? ? ? ? ? ?中晶微米級氧化鋁拋光粉(粗拋)
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 光學玻殼領域
【產品規格】
產品型號?CODE | 中值粒徑D50(μm) | ? ? 標準 | 國標 |
TWA45 | 35.0±2.0 | #360 | W50 |
TWA30 | 20.5±1.5 | #600 | W28 |
TWA20 | 14.5±1.0 | #800 | W20 |
【特點】
①??外觀呈純白色,韌性高,不易壓碎,耐磨性好。
②??形狀呈六角平板狀,不容易造成劃傷,懸浮性好。
③??研磨效率和傳統研磨粉相比,速率高出2-3倍,且加工后產品表面平坦度好于傳統磨料,并為后期拋光加工省去了不必要的麻煩。
【適用范圍】
?????? 適用于顯像管玻殼、光學鏡片的研磨加工。特別適合大尺寸玻殼、玻屏的研磨加工。
聯系:馮總 ? 18762687182
品名:r氧化鋁拋光粉, Alumina polishing powde.氧化鋁拋光粉采用高純氧化鋁作為原料, 在嚴格粒度分布控制下, *小粒度能夠達到0.3um。晶體呈平板狀、 粒度分布范圍窄、不易產生劃痕、磨削力強。用途:1) 單晶硅片的研磨、拋光。2) 水晶鏡片的研磨拋光。3) 手機外殼等鋁合金材料及不銹鋼材料的拋光。4) 不銹鋼餐具及其它裝飾材料的拋光。5) 等離子噴涂6)光學玻璃, 激光晶體, 光學晶體, 光學塑料, 半導體, 金屬合金, 陶瓷, 等。7) 塑膠拋光8)大理石拋光、石材拋光9)汽車漆面拋光10)石英晶體研磨拋光,晶振研磨拋光
無錫中晶平板狀氧化鋁拋光粉和拋光液使用說明書無錫中晶材料科技有限公司,氧化鋁拋光液是以微米或納米級氧化鋁為磨料,再配以濕潤劑、表面活性劑、分散穩定劑和調整劑生產的一種研磨拋光材料。適用于各種精密產品及金相切片、手機殼等研磨拋光。公司開發和經營的研磨拋光材料系列均為優選的磨料,先進的制備工藝保證了高質量的顆粒呈等積形狀;嚴格的分級工藝保證了實際尺寸與名義尺寸相一致的高比例顆粒,其粒度組成都高于國家標準的粒度范圍要求。所有這些研磨拋光材料,粒度、品種齊全,以滿足用戶各種要求。通過工藝、設備、流程控制,保證了高純納米氧化鋁拋光液具有以下優越性能:1、晶相穩定、硬度高、顆粒小且分布均勻,懸浮穩定性好;2、磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好;3、研磨效率高,拋光效果好,研磨效率遠遠高于二氧化硅等軟質磨料,表面光潔度優于白剛玉的拋光效果,切削力強、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。4、適用范圍廣,拋光后容易清洗。 氧化鋁拋光液和研磨材料適用于金相、巖相、復合材料的高精度研磨及拋光等表面處理:1、手機殼,陶瓷,玻璃、水晶、光學玻璃等振動拋光(機器拋光、滾動拋光)、手動拋光(研磨拋光)等。人造寶石、天然寶石、鋯石、玉石、翡翠、瑪瑙。2、單晶硅片等半導體、壓電晶學、光學晶體、光學玻璃、光學塑料、計算機硬盤、光學鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、3、鋁材、銅材、不銹鋼等金屬表面研磨拋光。4、汽車油漆打磨拋光,樹脂拋光等,油漆表面、亞克力、非鐵金屬的表面拋光。5、 劃痕去除:寶石、首飾、微晶玻璃、鋁板、鋼板、塑料殼、壓克力等劃傷劃痕;汽車,船舶等表面油漆出現的輕微劃痕等只要涂上少許拋光液,用海綿布或者拋光墊等在其表面來回拋磨,很快就光亮如新,無一點擦痕。推薦配套使用:本公司金相拋光潤滑冷卻液,樣品的拋光效果則更加**。使用與用量:推薦用量為1~20%,使用者應根據不同體系經過試驗決定*佳添加量?!?以防少許沉淀,建議使用前先搖勻?!?使用時,以不同濃度并據不同行業的需要可用過濾清潔水加以稀釋,調制不同濃度。儲 存:本品需在0℃以上儲存,防止結塊,在0℃以下因產生不可再分散結塊而失效。包 裝:產品包裝有:200毫升/瓶和500毫升/瓶。1 L/瓶、5 L/桶、20 L/桶
這兩個概念主要出現在半導體加工過程中,*初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,**性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W機械拋光可以獲得較為**的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的**有效方法。制作步驟依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個復雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。(2)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。
顆粒度均勻一致,在允許的范圍之內。純度高,不含有可能引起劃痕的雜質。有良好的分散性,以保證加工過程的穩定和**?;瘜W穩定性好,不致腐蝕工件。粉體晶型機構穩定,耐磨性及流動性好。粒度大的拋光粉,磨削力越大,越適合加工硬度高的材料,反之粒度小的拋光粉適合加工偏軟類的材料。所以拋光粉都有一個粒度分布范圍,平均粒徑(中心粒徑D50)的大小只決定拋光速度的快慢,而**粒徑Dmax決定拋光精度的高低。因此要達到高精度的表面拋光要求,必須控制拋光粉的粒度分布比例和范圍。
定義:人造磨料的一種。三氧化二鋁(Al2O3)含量在99%以上,并含有少量氧化鐵、氧化硅等成分,呈白色。產品粒度按國際標準以及各國標準生產,可按用戶要求粒度進行加工。通用粒度號為 F4~F220,其化學成份視粒度大小而不同。突出的特點是晶體尺寸小耐沖擊,如果用自磨機 加工破碎,顆粒多為球狀顆粒,表面干潔,易于結合劑結合。